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HBM明年过剩?DRAM下行周期到哪了?高盛详解芯片核心议题

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  • 2024-10-18 02:54:02
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摘要: 来源:华尔街见闻 高盛认为,HBM明年将供不应求,特别是SK海力士凭借其在AI内存市场中的领先地位,2025年之前供需仍将保持紧...

来源:华尔街见闻

高盛认为,HBM明年将供不应求,特别是SK海力士凭借其在AI内存市场中的领先地位,2025年之前供需仍将保持紧张;而DRAM有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。

HBM作为一种用于高性能计算和AI应用的关键存储技术,近年来需求量大幅增加。投资者开始担忧,HBM可能在2025年出现供应过剩,而DRAM周期性下行的风险加剧。

针对这种顾虑,高盛在16日公布的最新研报中指出,这种担忧可能为时尚早。报告强调,全球主要云计算公司仍在不断增加对存储设备的投资,供应过剩的情况不太可能发生。此外,先进封装技术(如CoWoS)的发展,以及以及主要客户对HBM供应紧张的预期,都将推动HBM的需求增长。

同时,供应商的库存相对健康,DRAM市场仍有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。

HBM市场供不应求,DRAM周期存争议

投资者的关注点继续集中在HBM市场上,人们越来越担心,最早明年就会开始出现供应过剩的情况。

对此,高盛表示,这种情况不太可能发生,主要原因是目前超大规模企业继续在全球云计算领域持续支出,CoWoS产能强劲增长。

报告中还指出,目前主要的HBM供应商在提升生产良率方面面临挑战,这意味着短期内很难迅速增加供应。

因此,高盛认为HBM明年将供不应求,特别是SK海力士凭借其在AI内存市场中的领先地位,2025年之前供需仍将保持紧张,继续成为投资者的首选。

相比HBM市场,DRAM市场的前景则显得更加复杂。一部分投资者认为,随着库存水平的升高和其他国家供应的增加,DRAM可能会进入一个较长的下行周期。

但高盛对此持谨慎乐观态度。认为尽管客户库存水平较高,但供应商的库存相对健康,市场仍有望在未来几个季度内经历一次中周期库存调整。

此外,HBM的强劲需求也可能对DRAM市场产生正面影响。因此,虽然短期内市场波动不可避免,但高盛认为DRAM市场不会出现大幅度的下行。

三星电子:低估值吸引投资者

作为全球存储芯片的巨头之一,三星电子的股价表现近年来受到广泛关注。

报告指出,尽管三星电子股价近期有所下滑,但其当前的估值水平已接近1被市盈率的历史低位,吸引了众多投资者的兴趣。

大多数投资者认为,三星电子的股价下行空间有限,然而,短期内缺乏明显的股价上涨催化剂。

投资者特别关注三星电子即将发布的第三季度财报,期待其中能透露更多关于未来市场走向的信号。

SK海力士:HBM市场中的强劲表现

与三星电子相比,SK海力士的表现则更加受到投资者的青睐。报告指出,SK海力士凭借其在HBM市场的领先地位,继续吸引投资者的积极关注。

大多数投资者认为,HBM市场在2025年之前仍将处于供不应求的状态,这为SK海力士带来了强劲的增长预期。

报告中还提到,SK海力士的未来增长潜力还来自于其计划中的M15X晶圆厂建设,预计该工厂将在明年完成,这将进一步提升其HBM的生产能力。

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